瑞萨电子 10 月 6 日宣布推出公司首款低压氮化镓功率半导体产品。本次推出的产品属 100V 增强型 GaN 分立功率晶体管系列，面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动等应用领域。
该系列产品相比同类 GaN 器件，硬开关 FOM 最高降低 35%，软开关 FOM 最高降低 63%。相比硅基设计，效率提升 1% 至 3%，并消除 Qrr 损耗，开关损耗大幅降低 40% 至 70%。产品保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于客户快速从硅 MOSFET 布局迁移到 GaN 方案。
瑞萨电子 10 月 6 日宣布推出公司首款低压氮化镓功率半导体产品。本次推出的产品属 100V 增强型 GaN 分立功率晶体管系列，面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动等应用领域。
该系列产品相比同类 GaN 器件，硬开关 FOM 最高降低 35%，软开关 FOM 最高降低 63%。相比硅基设计，效率提升 1% 至 3%，并消除 Qrr 损耗，开关损耗大幅降低 40% 至 70%。产品保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于客户快速从硅 MOSFET 布局迁移到 GaN 方案。
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