英伟达要求三星等HBM供应商用台积电3nm造基底裸片

据首尔经济日报报道，三星电子将采用台积电的制造工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的核心组件——基底裸片。此前三星供应的所有 HBM 产品中，核心裸片与充当系统半导体的基底裸片均由三星自主生产，如今三星决定接受英伟达的技术要求，调整 HBM 的一站式全包制造模式。

业内消息人士称，英伟达已向三星电子、SK 海力士和美光三家 NVHBM 供应商提出要求：使用台积电 3 纳米工艺制造基底裸片，同时核心裸片统一采用代号 1c 的第六代 DRAM 工艺。NVHBM 基于第七代下一代 HBM 标准 HBM4E 架构开发，是英伟达在 8 月发布的定制版高带宽内存。报道称，英伟达提出这一要求，是因为各家 HBM 供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，标准化也能减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。